Силовая электроника №6'2015

Карбид кремния: панацея или не будем спешить?

Колпаков Андрей


Улучшение свойств силовых кристаллов, поиск новых конструктивных решений и совершенствование существующих технологий обеспечивают непрерывное эволюционное улучшение характеристик электронных ключей. Применение передовых методов изготовления и прецизионных методов контроля, а также уменьшение размеров полупроводниковых структур привели к тому, что свойства современных силовых приборов подошли к пределам, обусловленным физическими свойствами кремния. Это явилось причиной поиска альтернативных полупроводниковых материалов, который ведется с начала 50-х годов и особенно активизировался в последнее время. Революционные инновации в силовой электронике связаны в первую очередь с внедрением новых широкозонных материалов, применение которых позволяет не только повысить эффективность преобразования, но и создавать силовые ключи с принципиально новыми свойствами. Использование карбида кремния  (SiC) дает возможность существенно снизить уровень потерь на высоких частотах и расширить температурный диапазон. Традиционные кремниевые диоды с мягкой характеристикой выключения также с успехом могут быть вытеснены SiC-диодами с барьером Шоттки. Однако при переходе на новые типы полупроводниковых приборов необходимо тщательно изучить их особенности, технические и экономические показатели, проанализировать целесообразность применения для конкретной задачи.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Силовая электроника» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

*  *  *

Другие статьи по этой теме



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо