Силовая электроника №6'2015

Повышение эффективности и плотности мощности источников питания с помощью 600-В GaN-транзисторов

Перссон Эрик


Современные высококачественные источники питания (ИП) уже весьма эффективны. Примерно два года назад были анонсированы серверные ИП класса Titanium, общая эффективность которых при половинной нагрузке превышает 96% (согласно стандарту 80 PLUS). Столь высокий коэффициент полезного действия этих источников обусловлен уже имеющимися на сегодня технологиями, включая технологии производства высококачественных кремниевых полевых транзисторов и диодов Шоттки на основе карбида кремния (SiC). А что же дальше? Несколько компаний объявили о начале выпуска 600–650 В транзисторов на основе нитрида галлия (GaN) на кремниевой подложке. Можно ли, имея эти новые приборы, добиться еще большей эффективности ИП и увеличить их плотность мощности? Если да, то каким образом?

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Силовая электроника» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

*  *  *

Другие статьи по этой теме



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо