Силовая электроника №6'2015

Транзисторы на карбиде кремния: перспективы развития и снижение себестоимости готового изделия

Гореев Антон


Гореев Относительно недавно компания STMicroelectronics (STM) разработала новые транзисторы на карбиде кремния (SiC MOSFET). Благодаря свойствам SiC MOSFET, расширяется диапазон мощности, в которой можно построить однокаскадную топологию вместо двухкаскадной, к примеру светодиодные драйверы. К тому же, наука не стоит на месте, и дальнейшее усовершенствование технологии получения пластин SiC приведет к снижению их стоимости.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Силовая электроника» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

*  *  *

Другие статьи по этой теме



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо