Силовая электроника №2'2015

SOI — технология интегральных драйверов IGBT

Бекер Сусанна (Susanne Becker)

Бьютов Свен (Sven Buetow)

Воглер Бастиан (Bastian Vogler)

Херцер Рейнхард (Reinhard Herzer)


Перевод:
Колпаков Андрей


Интеллектуальные силовые модули (IPM — Intellectual Power Module) широко используются в приводах, источниках питания и многих других преобразовательных устройствах. Диапазон мощностей данных применений достаточно большой: от сотен ватт в миниатюрных приводах до мегаватт в энергетических установках. Миниатюрные интеллектуальные ключи киловаттного класса могут быть реализованы с помощью твердотельных драйверов, встраиваемых в IGBT-модули. Новая технология производства интегральных устройств управления транзисторами с рабочим напряжением 600 и 1200 В получила название SOI (Silicon On Insulator или «кремний на изоляторе»). Основными ее преимуществами являются полное подавление эффекта защелкивания, высокий иммунитет к наведенным помехам обеих полярностей и хорошие тепловые характеристики. Усовершенствованная микросхема SOI-драйвера, представленная SEMIKRON в 2014 г., обеспечивает отрицательный сигнал выключения затвора и защиту по выходу из насыщения (Desat) каждого из шести ключей инвертора. Представленные в статье результаты измерений статических и динамических характеристик подтверждают высокие эксплуатационные возможности драйвера.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Силовая электроника» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

*  *  *

Другие статьи по этой теме



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо