Силовая электроника №6'2014

Влияние времени включения высоковольтных IGBT-модулей на происходящие в них переходные процессы

Виснер Ойген

Толстопятов Виктор


В последнее время высоковольтные биполярные транзисторы с изолированным затвором (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor — HVIGBT) все чаще используются в качестве силовых ключей в таких требовательных к надежности областях, как электротранспорт и системы распределения энергии. Для подобного применения необходимы исчерпывающие данные о производительности и ограничениях HVIGBT-транзисторов в различных условиях работы. В таких случаях не всегда бывает достаточно информации, предоставляемой производителем. Например, физическим процессам внутри полупроводника требуется некоторый промежуток времени сразу после включения, чтобы достичь своего устойчивого состояния. Если оно не было достигнуто перед последующим выключением транзистора, переходный процесс изменяется. Иными словами, существует зависимость параметров переходного процесса в транзисторе и антипараллельном диоде (FreeWheeling Diode — FWDi) от времени их проводящего состояния. В данной статье этот эффект проанализирован для высоковольтных модулей Mitsubishi Electric R-серии. Экспериментальное исследование выполнено с использованием HVIGBT- модулей с различным блокирующим напряжением.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Силовая электроника» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

*  *  *

Другие статьи по этой теме



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо

Профессиональные средства для волос хабаровск читайте здесь .