Силовая электроника №6'2014

Быстродействующие 650-В IGBT-транзисторы для DC/DC-преобразователей на частотах до 200 кГц

Боу Рачана (Rachana Bou)

Бу Джианканг (Jiankang Bu)

Конг Джордж (George Kong)

Чанг Сюэ-Ронг (Hsueh-Rong Chang)


Перевод:
Павленко Алексей


Растущие требования к увеличению мощности высоковольтных источников питания и снижению их стоимости заставляют производителей полупроводниковых приборов создавать IGBT-транзисторы, способные действовать на рабочих частотах свыше 100 кГц. Компанией IR была создана технология Punch-Through (PT) с запирающим напряжением 650 В, оптимизированная для работы в DC/DC преобразователях на частотах до 200 кГц. Высокое значение температуры перехода Tjmax, равное +175 °C, также способствует уменьшению габаритных размеров данных устройств. В статье описываются особенности сверхбыстродействующего IGBT и проводится его сравнение с эквивалентными приборами, имеющимися сегодня на рынке.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Силовая электроника» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

*  *  *

Другие статьи по этой теме



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо