Силовая электроника №3'2014

Выбор наилучшего силового ключа для источников питания по величине заряда затвора

Какитани Хисао (Hisao Kakitani)

Такеда Рио (Ryo Takeda)


Улучшенные характеристики новых компонентов силовой электроники позволяют использовать более высокие частоты преобразования и создавать более компактные импульсные источники питания (ИП). Предполагается, что в скором времени на смену традиционным компонентам (MOSFET или IGBT) придут новые полупроводниковые приборы, такие как полевые МОП-транзисторы с суперпереходом или полевые транзисторы на основе нитрида галлия. Эти инновационные компоненты позволят создать импульсные ИП, работающие на более высоких частотах — от нескольких сотен килогерц до 1 мегагерц и выше.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Силовая электроника» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

*  *  *

Другие статьи по этой теме



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо