Силовая электроника №6'2013

Повышение эффективности силовой электроники за счет совершенствования конструкции IGBT-транзисторов

Томас Марк (Mark Thomas)

Чиола Дэвид (Davide Chiola)


Компания Infineon разработала новую технологическую платформу, названную TrenchStop 5, которая характеризуется специальной конструкцией ячеек и сверхмалой толщиной полупроводниковых пластин, что позволяет одновременно снизить потери на проводимость и на переключение. Последний вариант данной технологии — HighSpeed 5 — предназначен для быстродействующих устройств, в частности ККМ или повышающих преобразователей, а также преобразователей напряжения для солнечных источников энергии, ИБП и DC/DC-преобразователей для сварочных аппаратов. В статье приведены характеристики и результаты тестирования IGBT, созданных по этой технологии.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Силовая электроника» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

*  *  *

Другие статьи по этой теме



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо