Силовая электроника №5'2013

Анализ технологических факторов процесса термомиграции

Полухин Алексей


Оценены перспективы разработки технологии создания сквозных разделительных р+зон термомиграцией на пластинах кремния больших диаметров. Представлены результаты анализа распределения обратных напряжений UR на чипах диодов прямой полярности, изготовленных на пластинах Ø76 мм с использованием термомиграции.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Силовая электроника» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

*  *  *

Другие статьи по этой теме



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо

Кресла и стулья офисные
Советы по уходу за мебелью. Информация для дилеров.
rialmos.ru