Силовая электроника №4'2013

Исследования параметров и характеристик обогащенно-планарных IGBT с малыми потерями на напряжение 1200 В

Бормотов Алексей

Ищенко Леонид

Крицкая Татьяна

Мартыненко Валентин

Машевич Павел

Мускатиньев Вячеслав

Тогаев Михаил


В статье представлены результаты исследований высоконадежных IGBT модулей ОАО «Электровыпрямитель» на напряжение 1200 В на основе новых российских кристаллов IGBT и FRD, технология производства которых осваивается сегодня лидером отечественной микроэлектроники ОАО «Ангстрем».

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Силовая электроника» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.


Скачать статью в формате PDF

Скачать статью в формате PDF 2013_04_60.pdf  

 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо