Силовая электроника №3'2013

IGBT или MOSFET? О выборе и не только…

Винтрич Арендт (Arendt Wintrich)

Николаи Ульрих (Ulrich Nicolai)

Райманн Тобиас (Tobias Reimann)

Турски Вернер (Werner Tursky)


Перевод:
Карташев Евгений,Колпаков Андрей


Нет в силовой электронике элементов, развивающихся столь же быстро и имеющих так много схожих черт, как IGBT и MOSFET. Несмотря на известные преимущества и недостатки каждого из них, выбор силового модуля для конкретного применения не всегда является очевидным. В первую очередь это относится к области напряжений свыше 200–300 В, когда достоинства полевых ключей перестают быть однозначными. Ошибка в выборе приводит к тому, что готовое устройство не может полностью реализовать свои возможности, рассеивает слишком большую мощность и, в конечном итоге, является неконкурентоспособным. Этот вопрос уже неоднократно поднимался в многочисленных публикациях, однако его актуальность не снижается, что связано, в частности, с появлением новых полупроводниковых материалов.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Силовая электроника» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

*  *  *

Другие статьи по этой теме



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо