Силовая электроника №2'2013

MOSFET-модуль на основе SiC заменяет кремниевые IGBT-модули с втрое большим номинальным током в инверторах напряжения

Дас Мринал К. (Mrinal K. Das)


В статье приводится оценка работы в широко распространенных инверторах напряжения (VSI) на обычных частотах серийно выпускаемых модулей на SiC и кремниевых модулей с номинальным напряжением 1200 В. На низкой частоте 5 кГц SiC-модуль с током 100 А способен заменить кремниевый модуль с током как минимум 150 А, обеспечив значительное преимущество по рабочим характеристикам и надежности. На частоте 16 кГц модуль на SiC с током 100 А заменяет кремниевый модуль с током до 300 А с соблюдением требований к работе при перегрузке и к запасу по тепловыделению. Малые потери при переключении, свойственные полевым МОП-транзисторам (MOSFET) на основе карбида кремния (SiC), обеспечивают снижение стоимости конечной системы даже на низкой частоте.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Силовая электроника» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо