Силовая электроника №5'2011

Последние достижения технологий высоковольтных IGBT

Иура Шиничи (Shinichi Iura)

Накамура Кацуми (Katsumi Nakamura)

Уэмура Хитоши (Hitoshi Uemura)

Фукалов Роман

Штумпф Ойген (Eugen Stumpf)


В настоящей статье рассматривается влияние космического излучения на частоту отказов мощных полупроводниковых устройств в условиях приложенного к ним высокого напряжения. Демонстрируется усовершенствованная конструкция модулей высоковольтных IGBT номинальным напряжением 6,5 кВ, позволяющая повысить долговременную стабильность при постоянном напряжении без ущерба электрическим характеристикам, а также улучшить результаты ускоренной экспериментальной проверки с облучением пучком нейтронов. Описывается также структура высоковольтных IGBT нового поколения с указанием VCEsat и VF.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Силовая электроника» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

*  *  *

Другие статьи по этой теме


Скачать статью в формате PDF

Скачать статью в формате PDF 2011_05_28.pdf  

 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо