Силовая электроника №3'2011

Интегральные схемы и дискретные приборы фирмы Silan

Бурлаенко Владимир

Винокуров Андрей


В статье дается краткий обзор выпускаемой продукции крупного китайского производителя Hangzhou Silan Microelectronics (Silan).

В марте 2011 г. фирма «Неон-ЭК» подписала дистрибьюторское соглашение с крупнейшим китайским производителем полупроводниковых приборов Silan-IC, предлагающим микросхемы-драйверы светодиодов.

Не так давно в России, да и во всем мире, бытовало мнение, что китайская электроника делается в гаражах, на коленке, поэтому имеет столь низкое качество, да и срок службы такой электроники невелик. За последние несколько лет в связи со значительным ростом качества продукции компаний, достаточно успешно работающих как на мировом, так и на внутреннем рынке, произошло изменение в восприятии китайских и тайваньских производителей. Silan является одним из таких азиатских «тигров» — это быстрорастущая инновационная компания с приличной репутацией в Юго-Восточной Азии, но почти не известная в России.

Hangzhou Silan Microelectronics была основана в октябре 1997 г. в Китае с главным офисом в Ханчжоу. В марте 2003 г. компания начала продавать свои акции на Шанхайской фондовой бирже (SSE). В конце третьего квартала 2010 г. общие активы фирмы составляли около 2 млрд юаней (более $300 млн). В группу Silan входят несколько подразделений, в т. ч. Silan-IC и Silan Azure. Продукцию, выпускаемую Silan-IC, можно разделить на три основные категории:

  • аналоговые интегральные микросхемы (ИС), производимые на основе собственных патентованных технологий;
  • высоковольтные MOSFET, диоды Шоттки, быстровосстанавливающиеся диоды FRD, защитные диоды TVS;
  • цифровые аудио/видео большие интегральные схемы (БИС).

Silan Azure имеет 12 MOCVD-реакторов для выращивания эпитаксиальных структур. Для сравнения, во всей России имеется всего лишь четыре подобных реактора. Основная продукция — светодиодные кристаллы.

Завод по производству полупроводников Silan-IC занимает площадь 125 тыс. кв. м и имеет полный цикл производства, в том числе эпитаксию кремниевых пластин. В НИОКР работают 200 специалистов, в их числе более 100 кандидатов и докторов наук. В городе Ченгду строится новый завод группы Silan общей площадью 310 тыс. кв. м. Сегодня предприятие располагает практически всеми современными технологиями (рис. 1).

Возможности производства Silan-IC

Рис. 1. Возможности производства Silan-IC

Учитывая специфику журнала «Силовая электроника», считаем целесообразным более подробно рассказать о дискретных приборах Silan. Но сначала — кратко об ИС для построения маломощных импульсных источников питания (ИИП), совмещающих в одном корпусе ШИМ, цепи управления и защиты и встроенные высоковольтные ключевые транзисторы.

Интегральные микросхемы

Рассмотрим типовое включение микросхем фирмы Silan SD4841/42/43/44 (табл. 1), которые являются функциональным аналогом ИС PI TOP412/414, Fairchild FSDM0265RN, VIPPER и др. Как видно на рис. 2, микросхемы имеют сходную схемотехнику, а в документации обнаруживаются и сходные параметры. Ориентировочная стоимость самой мощной ИС Silan (15 Вт) серии SD4844 — примерно 13 руб. с НДС, и это основное отличие от конкурентов. В ближайшее время поступит в продажу новая версия семейства SD484х, которая будет обозначаться SD688x и иметь меньшее сопротивление ключа.

 Схема включения SD484X

Рис. 2. Схема включения SD484X


Таблица 1. Параметры микросхем

Наименование Uзапуска, В Iзапуска, мкА Iпиковый, А Частота, кГц Выходная мощность, Вт Корпус
85–265 VAC 190–265 VAC
SD4841 12 20 0,60 67 8 10 DIP-8-300-2.54
SD4842 0,75 10 12
SD4843 0,90 12 14
SD4844 1,20 14 16

AC/DC-конверторы со встроенными ключами

Микросхемы корректора фактора мощности для разнообразных источников питания производят многие фирмы. Не осталась в стороне и Silan, выпустив SA7527, pin-to-pin совместимую со многими аналогами (табл. 2). Надеемся, что работникам отделов снабжения понравится цена этой ИС — ~ 9,99 руб.

Таблица 2. Аналоги микросхем

Silan Fairchild ON Infineon STM
SA7527 FAN7527 MC34262 TDA4863 L6562

Более подробно с широким ассортиментом ИС Silan можно познакомиться на сайте производителя. Там вы можете увидеть, что Китай способен выпускать не только дешевые pin-to-pin-аналоги, но предлагает и системы на кристалле, и собственные патентованные разработки.

Транзисторы MOSFET

Недавно Silan объявила о разработке четвертого поколения высоковольтных MOSFET-транзисторов серии SVF, выпускаемых по собственной патентованной технологии F-cell. Рабочее напряжение этих приборов составляет 400–900 В, ток — 1–14 А, и корпусируются они в TO-92-3L, TO-220-3L, TO-220F-3L, TO-251-3L, TO-252-2L, TO-3PN. Попробуем сравнить транзисторы третьего поколения технологии S-Rin серии SVD с серией SVF.

Особенности и преимущества MOSFET-транзисторов SVF в сравнении с SVD

Мы сравнили данные из технической документации Silan и добавили для сравнения данные схожих по параметрам MOSFET известных производителей (табл. 3). SVF относятся к новому поколению HVDMOS с технологией F-cell, имеют меньший размер чипа по сравнению с SVD, и лучшие динамические характеристики. В сравнении с Fairchild и STM приборы Silan выглядят вполне достойно. Конечно, мы сравнивали их не с «флагманскими» приборами мировых лидеров, но в целом ряде устройств, где одним из основных требований является цена, MOSFET Silan будут востребованы. К примеру, стоимость SVF4N60D (MOSFET 4 A 600 V) с сопротивлением канала 2 Ом в корпусе TO-252 составит порядка 7 руб. В принципе, и на многие другие, широко распространенные MOSFET можно подобрать аналоги Silan (табл. 4).

Таблица 3. Сравнение технических параметров транзисторов

Производитель Тип Рабочие параметры, А/В R канала max. EAS (mJ) Время Время заряда (VDS = 80% Spec.) Емкость, пФ
Вкл., нс Выкл., нс Qgs, нс Qgd, нс Qg, нс Ciss Coss Crss
S-Rin SVD830F 5/500 1,5 256 31 124 2,7 6,1 16 548 63 5
F-Cell SVF830F 1,5 234 52 49 2,6 3,2 9 480 72 2
Fairchild FDPF5N50 1,4 225 20 44 3 5 11 480 66 5
STM STF6N52K3 5/525 1,2 110 10 31 4 15 26 670 54 10


Таблица 4. Аналоги MOSFET

Silan Infineon STMicroelectronics Fairchild Vishay/IR
SVF3N60A (600В, 3А) SPP03N60S5 STD3NM60 FQP3N60C IRFIBC30G
SVD7N60 (600В, 7А) SPD07N60S5 STD8NM60N FCPF7N60 IRFBC40APBF
SVD4N60 (600В, 4А) SPP04N60S5 STP4NK60 FCD4N60 IRFIBC40G

Диоды

Технологии Silan позволяют выпускать быстровосстанавливающиеся диоды FRD (табл. 5) с рабочими напряжениями до 600 В и токами до 20 А, а также и диоды Шоттки (табл. 6), с рабочими напряжениями до 150 В и токами до 30 А. В ближайшее время появится SFR30S20T на ток 30 А и рабочее напряжение 200 В.

Таблица 5. Fast Recovery Diode (FRD) — быстровосстанавливающиеся диоды

Наименование Uноминальное, В Iноминальный, А Время обратного восстановления, нс Корпус
SFR08S40T2 400 8 35 TO-220-2L
SFR08S60T2(F2) 600 8 TO-220-2L,TO-220F-2L
SFR12S20T,F 200 12
SFR16S20T,F 200 16
SFR20S20T,F 200 20


Таблица 6. Schottky Barrier Diode (SBD) — диоды Шоттки

Наименование Uноминальное, В Iноминальный, А Корпус
SBD10C45T,F 45 10 TO-220-3L/TO-220F-3L
SBD10C150T,F 150
SBD20C40T,F 40 20
SBD20C150T,F 150

Всех поражает, как недорого стоят блоки питания из Китая. Теперь можно объяснить это тем, что китайцы сами производят в большом количестве недорогие качественные РЭК.

Элементная база производства Silan используется во множестве РЭА китайского производства. Впрочем, эту же продукцию предлагает и глобальный дистрибьютор Avnet. Теперь микросхемы и дискретные приборы Silan доступны и на российском рынке. У разработчиков и производителей появилась прекрасная возможность существенно удешевить свои изделия без снижения качества. Преимущества дискретных приборов Silan — короткие сроки поставки и очень привлекательные цены.

*  *  *

Другие статьи по этой теме


Скачать статью в формате PDF

Скачать статью в формате PDF 2011_03_30.pdf  

 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо