09.10.2009

Новый Large Can DirectFET MOSFET IRF6718 от International Rectifier

Компания International Rectifier объявила о выпуске нового DirectFET MOSFET IRF6718 с самым низким сопротивлением открытого канала RDS(on). Новое 25-вольтовое устройство оптимизировано для таких применений, как DC-переключатели типа активный O-Ring (силовая схема ИЛИ соединения источников питания), Hot Swap (горячая замена без отключения электропитания и прекращения работы) и E-Fuse (электронный предохранитель).

Особенностью MOSFET IRF6718 является корпусирование кристалла кремния по технологии последнего поколения в новом большом корпусе Large Can DirectFET. Данная технология позволила получить чрезвычайно низкое значение сопротивления открытого канала RDS(on), равное 0,5 мОм, (типовое значение при напряжении 10 В) и уменьшить на 60% место на печатной плате и на 85% высоту корпуса по сравнению с D2PAK.

DirectFET MOSFET IRF6718
Таблица. Основные технические характеристики DirectFET MOSFET IRF6718

Новая технология корпусирования MOSFET кристалла позволяет изготавливать DirectFET-транзисторы со значительным уменьшением потери проводимости. Ввиду того, что отсутствует разварка кристалла и нет пластмассового корпуса, достигается максимальное соотношение «площадь кристалла/площадь корпуса» и значительно улучшается тепловая эффективность всей системы.

DirectFET MOSFET IRF6718 — первое устройство International Rectifier, выполненное в большом корпусе Large Can DirectFET, со значительно сниженным значением RDS(on) по сравнению с устройствами других производителей. Это позволяет обеспечить превосходную тепловую рабочую эффективность и высокую плотность DC/DC устройств с сокращением места на печатной плате. IRF6718 имеет улучшенную область безопасной работы (SOA — Safe Operating Area). Устройство соответствует нормам RoHS.



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо