а

Силовая электроника №4'2005

Миниатюрные силовые модули электропривода MiniSKiiP II — особенности применения

Андрей Колпаков


Серия миниатюрных силовых модулей MiniSKiiP, разработанных компанией SEMIKRON и предназначенных для использования в электроприводах мощностью до 30 кВт, необычайно популярна среди производителей силовой электроники. Об этом свидетельствует тот факт, что доля SEMIKRON на европейском рынке компонентов силовой электроники данного диапазона мощности составляет 46%. Одно из наиболее интересных конструкторских решений, использованных в этом типе модулей — усовершенствованные пружинные контакты, используемые в качестве силовых и сигнальных терминалов. MiniSKiiP второго поколения имеют беспрецедентную в своем классе плотность тока, обладают повышенной стойкостью к токовым перегрузкам и термоциклированию. Особенностям конструкции силовых модулей MiniSKiiP посвящено достаточно много статей [1, 2], однако их растущая популярность в России вызывает необходимость более подробно остановиться на особенностях применения данных компонентов.


Снижение габаритов силового каскада при повышении его эффективности и мощности — основная задача любой компании, действующей на рынке силовых преобразовательных устройств. В 1996 году фирма SEMIKRON выпустила на рынок первое поколение миниатюрных силовых модулей MiniSKiiP, предназначенных для работы в электроприводах в диапазоне мощностей до 10 кВт. По международной классификации конфигурация этих модулей имеет обозначение CIB (Converter, Inverter, Brake), они содержат выпрямительный мост (однофазный или трехфазный), 3-фазный мост IGBT, тормозной транзистор, датчик температуры. Подобные изделия выпускаются многими фирмами, в частности Mitsubishi, Fairchild, EUPEC и Tyco, однако по уровню плотности мощности, тепловым характеристикам и надежности силовых модули SEMIKRON превосходят конкурентов. И особенно это лидерство укрепилось с появлением силовых модулей нового, второго поколения, внешний вид которых с платой управления и радиатором показан на рис. 1. Модули MiniSKiiP II отличаются применением новейших кристаллов Trench3 IGBT и антипараллельных диодов CAL-HD [4], улучшенными тепловыми, электрическими и конструктивными характеристиками, расширенным диапазоном мощности.

Внешний вид сборки силового модуля MiniSKiiP
Рис. 1. Внешний вид силового модуля MiniSKiiP

В MiniSKiiP II реализованы все достижения, обеспечивающие компонентам SEMIKRON высочайший уровень надежности: прижимная технология сборки «pressure contact», отсутствие базовой несущей платы и пружинные контакты оригинальной конструкции [3]. В силовых модулях использована керамическая подложка из оксида алюминия Al2O3, обеспечивающая напряжение изоляции 2,5 кВ.

Для серии MiniSKiiP II были разработаны новые миниатюрные корпуса. Самый маленький из них Mini 0 имеет размер 31x34x16 мм. Размеры наиболее мощного Mini 3 составляют 59x82x16 мм. Рабочие напряжения силовых модулей MiniSKiiP II, диапазоны токов и конфигурации схем приведены в таблице 1. Во всех вариантах модули снабжены линейным термодатчиком с характеристикой РТС. В отличие от силовых модулей предыдущего поколения токовые шунты исключены из схемы. Эмиттеры транзисторов IGBT инвертора выведены раздельно, и пользователь может сам выбрать тип и номинал токового сенсора.

Таблицы и графики, приведенные на рис. 2 и 3, позволяют выбрать конкретный тип силового модуля MiniSKiiP с рабочим напряжением 600 и 1200 В в зависимости от мощности нагрузки и частоты коммутации. Поскольку при производстве силовых модулей с напряжением 600 В используются две технологии (Fast NPT с низкими потерями переключения и Trench со сверхнизкими потерями проводимости), на рисунке даны два соответствующих графика.

Для подключения модуля используются пружинные контакты, конструкция которых в силовых модулях второго поколения была доработана для увеличения допустимой токовой нагрузки. Для изготовления контактов применен сплав, позволивший повысить допустимую токовую нагрузку почти в 2 раза. Каждый контакт нового модуля рассчитан на ток до 20 А, при этом его перегрев не превышает 20 °С. Для сильноточных выводов используется параллельное соединение пружинных выводов, их количество может достигать восьми для одного силового терминала.

Конструкция прижимных контактов SEMIKRON принципиально отличается от контактов традиционной конструкции, осуществляющих «сжимающее» контактное усилие, как показано на рис. 4а. Различие это заключается, прежде всего, в направлении и распределении прижимающего контактного усилия. У обычной контактной пары контактное усилие направлено перпендикулярно штыревому контакту. Со временем оно неизбежно ослабевает из-за усталостных процессов, происходящих в материале пружинящей пары контактов. Такая конструкция продиктована необходимостью обеспечения большого количества циклов сочленения.

Пружинные контакты, используемые в силовых модулях SEMIKRON, создают контактное усилие, направленное вдоль оси контакта. Значение контактного усилия в этом случае оказывается больше, а усилие сопряжения отсутствует. Данный тип контактов разрабатывался специально для соединения силового модуля с печатной платой, и он не предназначен для многократных сочленений. Пружинные контакты MiniSKiiP выполнены из сплава К88 (производства Wieland Werke и Olin Brass) с серебряным покрытием толщиной 3-5 мкм. Контакты покрыты пассивирующим слоем толщиной 0,1 мкм, представляющим собой сплав меди (50-55%), олова (30-35%) и цинка (13-17%).

Материал пружинного контакта имеет очень высокий предел текучести (550 МПа), он обладает хорошей способностью к формованию и стойкостью к изгибам и при этом сохраняет все свои механические и контактные свойства в широком диапазоне температур вплоть до 200 °С. SEMIKRON гарантирует отсутствие усталостных эффектов в материале контакта в течение всего срока службы. Кроме того, материал контактов MiniSKiiP отличается высокой электропроводностью — 80% IACS (International Annealed Copper Standard). Для сравнения: удельная электрическая проводимость отожженной меди составляет 0,58108 См/м или 100% по стандарту IACS.

Металлическая пассивация обеспечивает высокую долговременную стабильность контактных свойств и предохраняет поверхность контакта от окисления, нарастания нитевидных кристаллов и электромиграции. Напомним, что электромиграция — диффузионный перенос массы проводника под действием электрического тока высокой плотности. Она является одной из основных причин разрушения металлических токопроводящих пленок. Для исследования влияния процесса электромиграции на контактные свойства материалов SEMIKRON проводит испытания контактов MiniSKiiP на воздействие коррози-онно-активной атмосферы с высоким содержанием сероводорода H2S. В ходе тестов, проводимых в течение 240 ч в условиях 75% влажности при содержании сероводорода 100 млн1, не было выявлено ни одного отклонения характеристик выводов MiniSKiiP от допустимых пределов.

Нарастание нитевидных кристаллов на поверхности металлов является известной проблемой, особенно сильно этот эффект проявляется на олове, цинке и серебре. Многочисленные исследования показали, что причиной нарастания кристаллов является сжимающее напряжение в металлических структурах. Скорость роста кристаллов на серебре многократно увеличивается при наличии в атмосфере агрессивных газов. Специальные испытания контактов модулей MiniSKiiP выявили появление нитевидных кристаллов в зоне соединения пружинного вывода и печатной платы, где толщина покрытия минимальна. Однако данный эффект никоим образом не влияет на свойства контактов, так как нитевидные кристаллы сами по себе являются проводниками.

Виды и условия испытаний, которым подвергаются пружинные контакты MiniSKiiP, приведены в таблице 2. Многочисленные тесты и многолетний опыт эксплуатации подтвердили, что данный тип соединения обеспечивает высокую стабильность контактного сопротивления и более высокую стойкость к термоцик-лированию и вибрационным нагрузкам, чем классические паяные контакты [3].

В документации по применению силовых модулей SKiiP II указано, что покрытие контактных площадок печатной платы свинцово-оло-вянным сплавом (SnPb) является достаточным для обеспечения требуемых характеристик соединения. В соответствии с Европейской директивой RoHS, ограничивающей содержание опасных для здоровья материалов в электрическом и электронном оборудовании, рекомендуются следующие типы покрытия печатных плат:

  • иммерсионное золото поверх химического никеля NiAu;
  • иммерсионное олово с выравниванием горячим воздухом HAL Sn (Hot Air Leveling Tin); химическое олово (Chemi Sn).

Не рекомендуется использование плат с защитными органическими покрытиями OSP (organic solderability preservatives), применение которых может увеличить контактное сопротивление. Наилучшим сочетанием свойств с точки зрения обеспечения стабильных контактных характеристик пружинных контактов MiniSKiiP обладает покрытие NiAu, при этом толщина слоя никеля должна быть не меньше 5 мкм. При использовании оловянных покрытий (HAL Sn и Chemi Sn) толщина слоя не оговаривается, и при монтаже MiniSKiiP слишком тонкое оловянное покрытие может разрушиться. Однако это не повлияет на функционирование модуля, так как зона соединения, образуемая пружинным контактом и медной контактной площадкой печатной платы, обладает достаточной стойкостью к внешним воздействиям.

Для того чтобы изделие, в котором применен модуль MiniSKiiP, полностью реализовало свои возможности, топология печатной платы, контактирующей с модулем, должна обеспечивать минимальные значения распределенных индуктивностей силовых шин. Прежде всего, это относится к проводникам DC-шины (+DC, -DC) и выводам тормозного каскада (+В, -В). Для минимизации паразитных индуктивностей упомянутые проводники должны занимать на плате максимально возможную площадь и быть при этом копланарными (рис. 5). Такая конструкция, называемая иногда «сэндвич», обеспечивает параллельный путь протекания тока, а площадь петли, образованной контуром тока, непосредственно связана со значением распределенной индуктивности. Данное требование можно реализовать, например, используя для трассировки данных шин два различных слоя печатной платы. Сигнальные выводы затвора и эмиттера должны иметь минимальную длину и располагаться параллельно и близко друг к другу. Чтобы обеспечить возможность оптимизации расположения цепей управления, крышка модулей MiniSKiiP II, осуществляющая прижим контактов модуля к печатной плате, выполнена полой. В полостях крышки могут размещаться SMD-компоненты драйвера, имеющие высоту не более 3,5 мм, как показано на рис. 1.

Коппамарное расположение силовых шин: площадь петли тока определяет паразитную индуктивность
Рис. 5. Коппамарное расположение силовых шин: площадь петли тока определяет паразитную индуктивность

Контактные площадки печатной платы должны быть перед монтажом обезжирены и полностью очищены от остатков флюса, пыли и пр., на них не должны располагаться переходные отверстия. Размеры и координаты контактных площадок указываются в документации на силовой модуль, при изготовлении платы эти требования должны строго соблюдаться.

Применение силовых модулей с керамическим основанием без базовой платы накладывает особые требования на качество поверхности радиатора: неравномерность поверхности теп-лоотвода для обеспечения заданных тепловых характеристик не должна превышать 20 мкм, шероховатость — 6,3 мкм (рис. 6а).

Монтажная поверхность модуля MiniSKiiP должна быть очищена от частиц загрязнений и пыли. Керамическая DBC-плата, лежащая в основании силовых модулей второго поколения, имеет покрытие из сплава NiAu со стороны пружинных контактов, а ее наружная поверхность, примыкающая к радиатору, покрыта только тонким слоем золота. Неоднородность этого слоя или неравномерность его цвета не влияют на тепловые характеристики модулей. Однако в процессе производства, транспортировки или повторной установки на монтажной поверхности модуля могут появиться царапины, каверны и т. д. Виды подобных нарушений поверхностного слоя и их допустимые размеры приведены на рис. 6b-d. Если же размеры повреждений превышают приведенные значения, модуль подлежит отбраковке.

На рис. 7 показаны полукруглые лунки, вытравленные по краям медного покрытия керамической DBC-платы. Они необходимы для уменьшения термомеханических нагрузок, которые испытывает соединение керамики и меди из-за различных коэффициентов теплового расширения. Лунки имеют диаметр около 0,6 мм и глубину 0,3 мм, их наличие повышает стойкость силовых модулей к термоциклированию и не влияет на значение теплового сопротивления.

Травленые лунки на краю монтажной поверхности силового модуля MiniSKiiP
Рис. 7. Травленые лунки на краю монтажной поверхности силового модуля MiniSKiiP

Технология производства MiniSKiiP допускает наличие зазора между пластмассовым корпусом и керамической подложкой, его максимально допустимое значение составляет 0,55 мм (см. рис. 7b).

Для обеспечения хорошего теплового контакта при монтаже модуля обязательно должна применяться теплопроводящая паста, заполняющая зазоры в области контакта модуля и радиатора. Ниже приведены значения толщины слоя пасты, рекомендованные SEMIKRON для различных типов силовых модулей MiniSKiiP. Указанные значения были получены экспериментально в процессе измерения теплового сопротивления Rthcs при использовании силиконовой пасты Р12 фирмы WACKER Chemie.

  • MiniSKiiP0: 40-50 мкм;
  • MiniSKiiP1: 40-50 мкм;
  • MiniSKiiP2: 50-60 мкм;
  • MiniSKiiP3: 50-70 мкм.

Для обеспечения высокого качества нанесения пасты и хорошей повторяемости технологического процесса SEMIKRON рекомендует использовать трафаретную печать. Данный способ дает особенно хорошие результаты при серийном изготовлении. Для разового производства или ремонта возможно нанесение теплопроводящей пасты с помощью жесткого обрезиненного валика.

В процессе монтажа силовых модулей толщина слоя пасты должна контролироваться с помощью специальных инструментов, например таких, как показано на рис. 8. Измеритель на рис. 8а состоит из двух дисков — опорного и измерительного с нанесенным на нем расстоянием относительно базового диска. Измерительная «гребенка» (рис. 8b) имеет крайние опорные «зубцы» и измерительные «зубцы», отстоящие от базовой поверхности на соответствующее расстояние. При движении вертикально расположенной гребенки по поверхности радиатора следы пасты остаются на зубцах, расположенных ниже поверхности нанесенного слоя. Естественно, что для достижения оптимального теплового контакта и равномерного распределения пасты по поверхности при монтаже модулей должно создаваться нормированное крепежное усилие. Для MiniSKiiP типоразмеров 0-2 номинальный момент затяжки составляет 2-2,5 Нм. При монтаже силового модуля MiniSKiiP 3, имеющего 2 крепежных отверстия, начальный момент затяжки должен быть 1 Нм, окончательный — 2-2,5 Нм. При использовании электромеханического инструмента скорость его вращения не должна превышать 700 об/мин. Один модуль MiniSKiiP может быть переустановлен на другой радиатор или соединен с другой платой управления не более 3 раз. Большее количество подключений может повредить прижимную конструкцию модуля и ухудшить пружинные свойства контактов. После каждого демонтажа вся теплопроводя-щая паста должна быть тщательно удалена с поверхности модуля и радиатора, после чего необходима очистка поверхности спиртом. Для крепления MiniSKiiP рекомендуется использовать винты М4 по DIN 7991-8.8 или аналогичные.

Рис. 8. Инструменты для контроля толщины слоя теплопроводящей пасты (производитель—компания Zehntner): a)ZWW2102,b)ZND21O2
Рис. 8. Инструменты для контроля толщины слоя теплопроводящей пасты (производитель—компания Zehntner): a)ZWW2102,b)ZND21O2

Как и для всех силовых ключей, работающих в импульсных режимах, для MiniSKiiP нормировано количество коротких замыканий (срабатываний защиты) в течение срока службы: оно не должно превышать 1000, а время между КЗ должно быть больше 1 с. На рис. 9 приведены характеристики области безопасной работы для нормального режима переключения и режима короткого замыкания (КЗ). Как показывает график SCSOA (рис. 9b), нормальным для данных силовых модулей считается короткое замыкание при почти полном рабочем напряжении, 10-кратном токе коллектора и временем анализа неисправности, не превышающем 10 мкс.

При тепловом расчете необходимо учитывать метод измерения теплового сопротивления. Для силовых модулей разной конструкции используется различная методика определения Rth, что неизбежно влияет на точность расчета температуры кристалла [5]. В основе определения теплового сопротивления лежит измерение температуры в различных точках модуля, поэтому результат измерения зависит от положения контрольных точек размещения термодатчиков. При исследовании тепловых характеристик силовых модулей MiniSKiiP температура радиатора измеряется на поверхности радиатора рядом с модулем, в точке, максимально близкой к наиболее нагретому кристаллу (IGBT или диода), как показано на рис. 10а. Такой выбор точки измерения температуры теплоотвода является наиболее корректным при исследовании модулей, не имеющих базовой платы («baseless» в англоязычной литературе), подобных MiniSKiiP. Перепад температуры, вносимый радиатором, у них оказывается больше, чем у стандартных модулей из-за отсутствия эффекта распределения тепла основанием силового модуля. Результатом этого является также то, что положение контрольной точки Ts оказывается зависимым от геометрии керамической DBC-платы.

Для «безбазовых» модулей невозможно измерить значения Rth(j-c) и Rth(c-s) из-за отсутствия теплопроводящего основания корпуса. Для таких модулей физический смысл имеет только сопротивление «кристалл — радиатор» Rth(j-s), а тепловые параметры и непосредственно температура «виртуального корпуса» могут быть определены расчетным способом.

Тепловое сопротивление вычисляется на основе значения температуры кристалла Tj, определяемого по напряжению насыщения VCEsat. При малом токе коллектора обратная зависимость напряжения насыщения от температуры является достаточно линейной, что позволяет рассчитывать температуру кристалла с высокой точностью без использования термодатчиков. Такой метод, основанный на использовании калиброванной функции VCEsat = f(T) является достаточно распространенным и применяется многими производителями. В процессе измерения силовой модуль нагружается номинальным током до установления теплового равновесия, это время составляет около 90 с. После этого нагрузка отключается, через открытый транзистор пропускается измерительный ток (100 мА) в течение 3 с и производится замер напряжения «коллектор — эмиттер» и расчет температуры кристалла. При измерении напряжения насыщения измерительный прибор подключается к выводам модуля, следовательно, измеренное значение VCEm включает падение напряжения на силовых терминалах VCEm = VCE + RCc+eE. Погрешность измерения, вносимая потерями на выводах модуля, учитывается при вычислении температуры кристалла.

На рис. 10b показана эквивалентная тепловая схема силового модуля MiniSKiiP. Кривые распределения температуры приведены в виде изотерм, отмеченных разным цветом. Красный цвет отмечает области с максимальной температурой, синий — с минимальной. Тепловое сопротивление «кристалл — радиатор» Rth(j-s) определяется на основании измеренного значения градиента температуры ΔT «кристалл — радиатор» с помощью выражения: Rth(j-s) = ΔТ(j-s)/P. Общее значение теплового сопротивления кристалла относительно окружающей среды Rth(j-а) определяется как сумма: Rth(j-a) = Rth(j- cvirtuell) +R th(c virtuell-s) +R th(s-a), где первое и второе слагаемое представляют собой  виртуальные» значения тепловых сопротивлений «кристалл — корпус» и «корпус — радиатор». Все выпускаемые силовые модули MiniSKiiP имеют в своем составе термодатчик типа SKCS2, размещаемый на краю DBC-платы в непосредственной близости от кристаллов IGBT. Сопротивление датчика при температуре 25 °С составляет 1000 Ом, его температурный коэффициент равен 0,76%/°С. Более точно зависимость сопротивления датчика от температуры определяется следующим соотношением:

R(T) = 1000x[1 + Ax(T–25 °С) + Bx(T–25 °С)2] (Ом),

где А = 7,635x10-3 °С-1, В = 1,731x10–5 °С2, при этом измерительный ток должен находиться в пределах 1-3 мА. Рекомендуемое пороговое значение срабатывания термозащиты составляет 115 °С в режиме принудительного воздушного охлаждения.

Термодатчик MiniSKiiP монтируется на керамической DBC-подложке вблизи кристаллов IGBT. Минимальное расстояние от выводов датчика до токоведущих шин модуля составляет 0,71 мм, как показано на рис. 11а. Для повышения напряжения изоляции модулей они заливаются силиконовым гелем, проверке изоляционных свойств (Visol = 2500 В) подвергаются 100% выпускаемых изделий. Силиконовый гель, электрическая прочность которого составляет 23 кВ/мм, также обеспечивает изоляцию DBC-подложки от радиатора и крепежных винтов (см. рис. 12, область 4).

Рис. 11. Положение термодатчика на DBC-подпожке
Рис. 11. Положение термодатчика на DBC-подпожке
Рис. 12. Поперечное сечение MiniSKiiP в установленном состоянии
Рис. 12. Поперечное сечение силового модуля MiniSKiiP в установленном состоянии

В конструкции силовых модулей MiniSKiiP и способе их крепления важную роль играет прижимная крышка, с помощью которой осуществляется электрический контакт пружинных выводов с платой управления и тепловой контакт модуля с радиатором. Для повышения прочности крышка содержит металлическую вставку, а со стороны печатной платы она является полой. Это позволяет размещать непосредственно под крышкой элементы схемы управления в SMD-исполнении. Крепежные винты MiniSKiiP осуществляют электрическое соединение металлической вставки с радиатором, как показано на рис. 12а (область 2). Для обеспечения заданных характеристик крепление модуля должно выполняться в соответствии с определенными правилами:

•  расстояние между металлической вставкой крышки и печатной платой (рис. 12а — область 1, рис. 12b) должно быть более 8,1 мм;

•  расстояние между краем винта и печатной платой (рис. 12с) должно быть более 8,5 мм. Для измерения характеристик и скорейшего освоения силовых модулей MiniSKiiP в части разработки топологии соединений SEMIKRON предлагает демонстрационные платы. Внешний вид одной из таких плат, предназначенной для подключения MiniSKiiP в конфигурации АС, показан на рис. 13, а их перечень — в таблице 3. Платы выпускаются в двух исполнениях — для статических тестов (Static Test Boards) и для динамических тестов (Dynamic Test Boards). Первый вариант предназначен только для контроля статических параметров MiniSKiiP, топология выполнена таким образом, чтобы обеспечить кратчайшее расстояние между выводами и пружинными сигнальными контактами. Данная плата позволяет в лабораторных условиях подключить модуль и измерить его статические характеристики, такие как напряжение насыщения IGBT VCEsat, прямое напряжение диода Vf, тепловые сопротивления.

Рис. 13. Внешний вид демонстрационной платы MiniSKiiP конфигурации АС
Рис. 13. Внешний вид демонстрационной платы MiniSKiiP конфигурации АС
Таблица 3. Демонстрационные платы MiniSKiiP
Таблица 3. Демонстрационные платы MiniSKiiP

Топология платы для контроля динамических параметров разработана с учетом обеспечения минимальных значений распределенных индуктивностей. На платах такого типа устанавливаются конденсаторы DC-шины и резисторы предварительного заряда.

Заключение

По данным исследований рынка силовых полупроводниковых компонентов «The worldwide market for Power Semiconductors, 2002», проведенных британским исследовательским институтом IMS (British Market Research Institute), в области производства миниатюрных силовых модулей конфигурации CIB (Converter, Inverter, Brake — выпрямительный мост, инвертор, тормозной каскад) доля рынка SEMIKRON составляет 30% в мире и более 46% в Европе.

Основным применением MiniSKiiP являются схемы приводов, именно поэтому они выпускаются в приводных конфигурациях: CIB и АС (3-фазный инвертор). Силовые модули MiniSKiiP II, обеспечивающие диапазон мощности до 30 кВт, имеют самые малые габариты в своем классе. Высокой популярности данных компонентов способствует применение пружинных сигнальных выводов, позволяющих исключить паяные соединения, что упрощает монтаж модулей и их замену в случае необходимости. Специальные испытания данного типа соединения показывают его высокую устойчивость к микровибрациям и фреттингу (это коррозия, вызванная трением), а также хорошую долговременную стабильность контактных свойств в условиях достаточно мощных применений.

При эксплуатации модулей в условиях повышенной температуры окружающей среды особый интерес представляют вопросы обеспечения надежности и долговременной стабильности параметров. Высокие показатели надежности при использовании силовых модулей MiniSKiiP достигаются, прежде всего, за счет особенностей конструктива модуля использования пружинных контактов, исключения паяных соединений и отсутствия базовой платы.

Литература

  1. Christian Daucher, Christian Gobl. MiniSKiiP II — Setting the new benchmark for CIB modules in the power range of 0.37 kW to 30 kW. SEMIKRON International.
  2. Колпаков А. И. MiniSKiiP II — миниатюрные модули для привода // Электронные компоненты. 2004. № 7.
  3. Hornung E., Scheuermann U. Reliability of low current electrical spring contacts in power modules. SEMIKRON International.
  4. Колпаков А. И. Антипараллельные диоды SK для новых полений IGBT. Электронные компоненты. 2005. № 2.
  5. Колпаков А. И. Контрольная точка или об умении читать datasheet «между строк» // Электронные компоненты. 2005. № 6.
*  *  *

Другие статьи по этой теме


Скачать статью в формате PDF

Скачать статью в формате PDF 2005_04_28.pdf  

 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо